SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽车动力转向控制器

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽车动力转向控制器,编码X1G0048010058，型号SG2016CAN是一款金属面贴片型的有源晶振，SPXO振荡器，高品质晶振，高性能晶振，尺寸为2016mm，频率为20MHZ，支持输出CMOS，电压1.6~3.6V，频率稳定度为50pm，具备高质量，低损耗，低抖动低相位的特点，广泛用于罗拉无线模块，通讯模块，汽车动力转向控制器等领域.
X1G0048010056贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽车动力转向控制器.

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽车动力转向控制器  参数表

项目			符号		规格说明	条件
					SG2016CAN
输出频率范围			F0		1.2 MHz ~ 75 MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
					1.6 V ~ 3.63 V	请参考1
工作温度			T_use		-40 oC ~ +85 °C / -40 oC ~ +105 °C / -40 oC ~ +105 °C	裸存
频率稳定度			f_tol		D:   25 × 10-6 ,	-20 oC ~ +70 oC
					J:   50 × 10-6
					L    100 × 10-6
功耗			ICC		3.0 mA Max.	无负载条件 f0=75MHZ
待机电流			I_std		2.7 µA Max.	ST=GND
占空比			SYM		40 % ~ 55 %	50% Vcc 极，L_CMOS ≤15pf
输出电压			VOH		Vcc -0.4 Min.
			VOL		0.4V Max.
输出负载条件(CMOS)			L_CMOS		15 pF Max.
输入电压			VIH		80 % VCC Min.	ST 终端
			VIL		20 % VCC Max.
上升/下降时间			tr/ tf		4 ns Max.	20% Vcc~80% Vcc 极，L_CMOS ≤15pf			20 % VCC   ~ 80 % VCC
振荡启动时间			t_str		3 ms Max.	在 90 % VCC  时，所需时间为 0  秒
						(+105 °C,+125 °C : 5 ms Max.)
频率老化			f_aging		3    10-6 / year Max.	+25 °C,  第一年， VCC=1.8 V, 2.5 V, 3.3 V

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽车动力转向控制器  尺寸图

编码	品牌	型号	频率	尺寸	输出方式	电源电压	工作温度	Freq. Tol./频率偏差
X1G0048010002	爱普生振荡器	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010012	爱普生振荡器	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010014	爱普生振荡器	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010016	爱普生振荡器	SG2016CAN	74.250000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010018	爱普生振荡器	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010019	爱普生振荡器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-100 ppm
X1G0048010020	爱普生振荡器	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010021	爱普生振荡器	SG2016CAN	27.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010022	爱普生振荡器	SG2016CAN	40.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-100 ppm
X1G0048010024	爱普生振荡器	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010025	爱普生振荡器	SG2016CAN	38.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010003	爱普生振荡器	SG2016CAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010007	爱普生SPXO振荡器	SG2016CAN	12.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010013	爱普生振荡器	SG2016CAN	50.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010026	爱普生振荡器	SG2016CAN	33.333300 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010027	爱普生振荡器	SG2016CAN	10.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010028	爱普生振荡器	SG2016CAN	50.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010029	爱普生振荡器	SG2016CAN	10.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010030	爱普生振荡器	SG2016CAN	4.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010031	爱普生振荡器	SG2016CAN	24.576000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010035	爱普生振荡器	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010036	爱普生振荡器	SG2016CAN	40.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010039	爱普生振荡器	SG2016CAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010040	爱普生振荡器	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010044	爱普生振荡器	SG2016CAN	12.288000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010045	爱普生振荡器	SG2016CAN	8.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010046	爱普生振荡器	SG2016CAN	8.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010049	爱普生振荡器	SG2016CAN	4.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010050	爱普生振荡器	SG2016CAN	12.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010051	爱普生振荡器	SG2016CAN	12.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010052	爱普生振荡器	SG2016CAN	12.288000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010053	爱普生振荡器	SG2016CAN	12.288000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010054	爱普生振荡器	SG2016CAN	14.745600 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010055	爱普生振荡器	SG2016CAN	14.745600 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010056	爱普生振荡器	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010057	爱普生振荡器	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010058	爱普生振荡器	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010059	爱普生振荡器	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS晶体振荡器	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010060	爱普生振荡器	SG2016CAN	24.576000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010061	爱普生振荡器	SG2016CAN	27.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010062	爱普生振荡器	SG2016CAN	32.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010063	爱普生振荡器	SG2016CAN	32.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010064	爱普生振荡器	SG2016CAN	33.330000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010065	爱普生振荡器	SG2016CAN	33.330000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010066	爱普生振荡器	SG2016CAN	33.333300 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010067	爱普生振荡器	SG2016CAN	40.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010068	爱普生振荡器	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010069	爱普生振荡器	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010070	爱普生振荡器	SG2016CAN	50.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010071	爱普生振荡器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010072	爱普生振荡器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.710 to 3.630 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0048010073	爱普生振荡器	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	2.250 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0048010076	爱普生振荡器	SG2016CAN	32.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm
X1G0048010077	爱普生振荡器	SG2016CAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-20 to 70 °C	+/-25 ppm

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