设计电路要找到匹配的晶振相互配合,补充,才能显出各自的长处,电子工程师初期会筛选晶振供应商,来提供电路需要的晶振型号及相关参数.帝国科技拥有十几年的丰富经验,从研发晶振到电路设计已经有相当成熟经验.那么先从大家用的最多的32.768K石英晶振 ,石英晶振匹配IC,石英晶振的驱动电压和功率,晶振焊接温度及振荡模式相关知识技术给大家分享.
以下有帝国小齐整理收集晶振电路设计知识.
电路设计和晶振的关键性参数:
驱动级（DL）,石英晶振|振荡频率和负载电容（CL）
石英晶振|振荡模式,频率温度曲线
石英晶振驱动级（DL）
晶体单元的驱动器的运行功率或电流消耗水平（对照电路图9,10,11）.

石英晶体单元操作的权力过大,这可能会导致晶体芯片的频率不稳定或物理故障的退化.您的电路设计在绝对最大驱动电平.
石英晶振|振荡频率和负载电容（CL）
负载电容（CL）是一个确定的石英晶振|振荡电路的频率参数. CL是代表一个有效的等效电容,加载从石英晶振|振荡电路的晶体单元的两端(对照电路图12,13).

石英晶振|振荡频率会有所不同,这取决于负载电容
石英晶振|振荡电路.为了获得理想的频率精度,贴片晶振|振荡电路的负载电容和晶体单元之间的匹配是必需的.为使用的晶体单元,配合晶体单元的负载电容的石英晶振|振荡电路的负载电容.
振荡津贴
为了确保稳定的振荡电路的负电阻应该显着高于等效串联电阻较大的（振荡津贴是大）.确保振荡津贴,是至少5倍的等效串联电阻大.
振荡津贴的评价方法
加入电阻“RX”系列表晶单元,并确保该振荡启动或停止.近似的负阻电路是通过增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振荡启动或停止后,逐渐使Rx值较大时,得到的值.
负阻 - R的|= RX+复
|-R的是一个至少5倍作为最大的晶体单元的等效串联电阻（R1的最大值）.大的价值* Re为振荡过程中的有效电阻值.
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

【晶振频率温度曲线】

音叉晶体的频率温度特性的负二次曲线,其中有一个高峰期在25ºC每左图所示.
请确保你所需要的温度范围和频率精度考虑,因为频率的幅度变化变得越来越大,温度范围变宽.
[频率温度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A:抛物系数T:给定的温度,钛成交额温度的.晶振的历史悠久,不要小看一颗小小的晶振,他确蕴藏着无穷的力量,这给新的电子工程师造成了许多困扰,但是你很幸运,如果你对晶振电路设计还不是很熟练,可以参考一下,希望对你有帮助.请继续关注帝国博客将会给读者带来更多晶振知识,本文晶振与电路设计如果匹配本节完.如果有不清楚的地方可在线咨询QQ或贸易通,感谢关注！

作者：帝国科技

正在载入评论数据...

此文关键字：晶振电路设计贴片晶振 32.768K晶振晶振曲线图

资讯中心

帝国博客

设计电路与石英晶振如何相得益彰

相关资讯

帝国科技

服务热线

姓名：
邮箱：
正文：