规格型号：84249824
频率：0.625~80MHZ
尺寸：3.2x2.5x0.9mm
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产品描述：贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域...

希华晶振,普通晶体振荡器,OSC81晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
希华晶体科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售.从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务. 环保晶振产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等,扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能.持续致力于技术研究开发及品质落实扎根,营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地,使希华得以提供服务予世界电子大厂.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为X轴,短边为Z轴,面为Y轴.对于圆片晶振,X、Z轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的UM-1),会在X轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在Z轴上.保证SMD晶振产品的温度特性.

晶振参数	单位	振荡器OSC81	晶振需求标准
标准频率范围	f_nom	0.625~80MHZ	请确定你所需要的频率,联系我们代理商
储存温度	T_stg	-55℃~+100℃	裸存
工作温度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
电源电压	VDC	+1.8V~+3.3V
精度	f_-l	±30ppm，±50ppm，±100ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐点温度	Ti	+25°C ±5°C
负载电容	CL	15pF	可指定
串联电阻（ESR）	R₁	60kΩ 最大值
频率老化	f_age	±1×10^-6/year Max.	+25±3°C, 第一年

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗有源石英晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.

超声波清洗

（1）使用AT-切割晶体和声表面滤波器（SAW）/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗.但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏.确保已事先检查系统的适用性.

（2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏.

（3）请勿清洗开启式晶振产品

（4）对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等.

（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固.这会引起诸如位移等其它现象.这将会负面影响产品的可靠性和质量.请清理残余的助焊剂并烘干PCB.

电处理：

将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英低功耗晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.

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