在现代电子系统中,时钟如同整机的"心脏脉搏",所有数字逻辑运算,数据收发,时序同步,信号解调都必须依托稳定,精准的时钟信号.小到TWS蓝牙耳机,智能手环,便携IoT传感器,大到工业PLC,光通信模块,车载电控单元,医疗检测设备,5G通信射频板卡,晶体振荡器都是不可或缺的基础元器件.在无源石英晶振的应用电路中,负载电容(LoadCapacitance,CL)是硬件开发中看似简单,却极易引发批量故障的关键参数.很多研发工程师在项目前期仅关注晶振的频率,封装,精度等级,忽略负载电容匹配,导致样机常温测试一切正常,进入高低温测试,长期老化,批量生产阶段后,陆续出现频偏超标,时钟走时不准,间歇性不起振,无线通信丢包,EMC测试失败等一系列疑难问题.

ECS(伊西斯)作为国际知名石英晶体频率器件厂商,产品线覆盖无源贴片晶振,RTC32.768kHz时钟晶振,高频基频晶振,泛音晶振,车规AEC-Q200晶振,有源OSC,TCXO温补晶振等,广泛供应消费电子,工业自动化,汽车电子,医疗,通信等领域.ECS所有并联型无源晶振,出厂时的频率校准,电气参数测试,全部在规格书标注的额定负载电容条件下完成.一旦硬件电路实际等效负载电容偏离标称值,晶振的工作点就会偏移出厂标定状态,直接改变振荡频率,起振裕量,激励功率与长期稳定性.深圳市帝国科技有限公司是ECS伊西斯晶振品牌正规授权代理,长期为广大硬件研发,采购,生产企业提供ECS晶振选型,规格核对,样品申请,技术支持与批量供货服务.本文将从晶振基础原理,负载电容定义,计算公式,负载电容对振荡器多维度性能的影响,PCB寄生电容管控,容值调试方法,主控内置负载电容适配,典型故障案例,不同应用场景匹配策略等方向深度展开,为硬件工程师开展晶体振荡电路设计提供完整,可落地的技术参考,有选型,样品,技术咨询需求,欢迎来电:0755-27881119.

一,晶体振荡器基础原理:并联谐振与串联谐振的本质区别

想要理解负载电容的作用,首先要分清石英晶振两种核心工作模式:串联谐振模式与并联谐振模式,二者对外部电容的需求完全不同,这也是很多新手工程师最容易混淆的知识点.

石英晶体本身是压电元件,内部石英晶片经过切割,电极蒸镀,封装后,等效为一个RLC串联谐振回路,同时存在并联电容C0,也就是晶振的静态电容,电极电容.串联谐振频率Fs,是晶振等效串联支路阻抗为纯电阻时的频率,在串联谐振点,晶振阻抗最小,呈阻性,此时不需要外部负载电容,只要激励信号频率等于Fs,晶振就可以导通.串联模式的晶振,多用于少数专用射频滤波,串联振荡电路,外部不需要搭配对地电容,额外增加电容反而会破坏谐振点.

而消费电子,MCU系统,蓝牙,RTC实时时钟里95%以上的无源晶振,都工作在并联谐振模式.并联谐振频率FL略高于串联谐振频率Fs.在Fs和并联谐振频率Fp之间的区间内,石英晶振呈感性.皮尔斯振荡电路(PierceOscillator)是目前行业最主流的无源晶振振荡架构,MCU内部的反相放大器作为增益单元,晶振充当电感,和外部两个对地电容C1,C2共同构成电容三点式振荡回路.正是因为晶振工作在感性区间,才需要外部电容配合,形成稳定的LC谐振.这个回路等效到晶振两端的总电容,就是规格书上标注的负载电容CL.

这里有一个核心结论:只有并联工作模式的无源晶振,才有负载电容指标,才需要匹配CL;串联晶振,有源晶振OSC,TCXO,VCXO,内部已经集成振荡环路,不需要外接负载电容.很多工程师拿到ECS有源晶振,依旧习惯性外接22pF电容,结果造成振荡波形畸变,负载过重,输出幅度衰减,甚至芯片时钟引脚损坏,这类问题在项目中屡见不鲜.

ECS在每一份晶振规格书首页都会明确标注工作模式与额定CL.例如常用的32.768kHzRTC晶振,常见CL为6pF,7pF,12.5pF;16MHz,24MHz,32MHz,40MHz高频通信晶振,CL常见8pF,10pF,18pF,20pF;小尺寸1610,2012音叉晶振封装晶振,因为晶片尺寸更小,ESR等效串联电阻更大,负载电容可选范围更窄,对匹配精度要求更高.

二,负载电容CL的准确定义与工程计算公式

负载电容CL,定义为晶振两个电极向外看进去,振荡回路提供的等效总对地电容.在标准皮尔斯电路中,晶振一端接芯片XIN输入引脚,另一端接XOUT输出引脚,两个引脚分别外接对地电容C1,C2.除了这两个显式的贴片电容之外,回路中还存在无法消除的寄生电容Cs,寄生电容是PCB走线,焊盘,阻焊,芯片振荡引脚输入电容,封装引脚电容共同叠加形成的.

行业通用计算公式:

\(CL=\frac{C1\timesC2}{C1+C2}+Cs\)这个公式是所有晶振电容匹配的基础,我们拆解每一项的含义:

C1:XIN引脚对地外部电容;

C2:XOUT引脚对地外部电容;

Cs:系统寄生总电容.

很多人会犯一个低级错误:规格书标注CL=20pF,直接C1=20pF,C2=20pF代入.两颗20pF电容串联之后,等效值只有10pF,再叠加寄生电容Cs(常规3~7pF),最终实际CL大约只有13~17pF,明显小于标称20pF.负载不匹配直接带来频率正向偏移,这也是很多蓝牙设备频偏超标的首要诱因.

寄生电容Cs是工程调试里最大的变量,它不是固定常数.PCB设计不同,Cs差异巨大:

常规标准3225,5032封装晶振,布局紧凑,走线很短时,Cs大约3~5pF;

2016,2520封装,焊盘偏大,走线拉长,Cs可以达到5~7pF;

1610,2012超小型超薄晶振,焊盘设计余量偏大,表层走线长,Cs甚至突破8pF;

部分老款MCU,振荡引脚本身输入电容高达4~6pF,会直接拉高Cs.

ECS原厂在晶振测试夹具上,已经扣除了夹具本身寄生电容,规格书的CL是纯负载指标,不包含用户PCB寄生.也就是说,我们在计算C1,C2的时候,必须预留Cs的余量,不能忽略不计.

举一个工程示例:某ECS24MHz无源晶振,规格CL=18pF,评估PCB寄生Cs预估4pF.那么电容串联部分需要提供:18pF-4pF=14pF.令C1=C2,那么(C×C)/(C+C)=C/2=14pF,C=28pF.实际选型不会刚好有28pF电容,一般选用27pFNPO电容,实测后再微调.很多工程师习惯直接选用22pF通用电容,是早年大封装晶振,寄生很小场景下的经验方案,放到现在高密度小型PCB,小封装ECS晶振上,这套经验已经不再适用.

另外还有一类场景:MCU内部集成可编程负载电容阵列,STM32,Nordic,TI,瑞萨等很多主控都内置XIN/XOUT负载补偿电容.此时内置电容需要计入C1,C2,外部电容可以减小甚至省略.不少工程师不清楚内置电容已经生效,继续外挂大容量电容,造成总CL严重超标,出现低温不起振.这也是ECS晶振应用中高频踩坑点.

三,负载电容对晶体振荡器核心性能的全方位影响

负载电容不是一个孤立参数,它会同时作用于振荡频率,起振可靠性,负阻裕量,激励电平,功耗,长期老化漂移,信号噪声与EMI表现,各项指标相互耦合,不能单独优化某一项而忽略其他指标.下面分维度详细解析,结合ECS晶振产品特性说明风险.

3.1负载电容直接决定振荡频率,产生频率牵引效应

并联晶振的频率-负载电容曲线是一条单调曲线:等效负载CL小于标称值,振荡频率偏高;等效负载CL大于标称值,振荡频率偏低,这个现象叫做频率牵引(FrequencyPulling).

石英晶振的感性区间斜率有限,CL变化带来的频偏大小和晶振本身负载牵引灵敏度相关.32.768kHzRTC晶振牵引效应非常明显,几个pF的变化就会带来可观的日误差;高频泛音晶振相对牵引灵敏度低一点,但无线通信对频偏要求严苛,ppm级偏差就会影响通信链路.

ECS晶振出厂时,在额定CL下校准到指定频率公差,例如±10ppm,±20ppm,±30ppm.一旦CL偏离,额外引入的频偏会叠加在初始公差之上,超出整机系统指标.我们结合不同应用场景看危害:

RTC实时时钟:32.768kHz晶振用于电表,水表,温控器,智能面板,穿戴设备时钟.频率偏快,每天累积时间误差持续变大;频率偏慢,时钟越走越滞后.很多产品要求年误差小于1分钟,换算下来ppm要求非常严格,CL匹配误差必须控制在极小范围.ECS的32.768kHz系列有多种CL规格,6pF,7pF,12.5pF不能互相替代.

蓝牙,BLE,Sub-GHz,LoRa无线产品:射频协议对载波频偏有强制规范.频偏超标会导致接收机解调阈值下降,丢包率上升,通信距离缩短,穿墙性能变差.很多样机近距离通信正常,远距离测试就不稳定,根源就是ECS晶振负载不匹配带来载波偏移.

USB,CAN总线,RS485,异步串口:时钟基准偏移会造成波特率误差.异步通信依靠起止位同步,误差超过阈值直接出现乱码,识别间断,设备枚举失败.

工业采集,同步采样设备,医疗检测仪器:多通道同步采集依赖统一时钟,频偏会造成采样点错位,采集数据失真,甚至医疗设备检测结果出错.

值得强调:频率牵引是可逆的,调整外部电容,就可以把频率拉回目标区间,但前提是在晶振允许的负载范围内调整.如果CL偏离规格书推荐区间过大,晶振会脱离稳定感性区,直接停振.ECS规格书会标注推荐负载范围,选型和调试不能超出这个边界.

3.2负载电容影响起振能力,起振时间与负阻裕量

皮尔斯振荡电路稳定工作的核心条件:放大器提供的负阻绝对值,必须大于晶振等效串联电阻ESR,并且预留足够裕量.负阻裕量是振荡器在温度波动,电压跌落,噪声干扰下持续振荡的保障.

ECS不同系列晶振ESR差异很大:32.768kHz音叉晶振ESR普遍几十kΩ;1610,2012小尺寸高频晶振ESR相比大封装3225,5032mm晶振更高;泛音晶振ESR也高于基频晶振.ESR越高,晶振本身越难起振,对负阻裕量要求越苛刻.

负载电容如何影响负阻:

CL偏大:振荡回路负载阻抗升高,放大器驱动负担加重,电路等效负阻下降,负阻裕量缩水.直观表现:起振时间变长,常温下尚可起振,低温,低压工况下间歇性不起振,上电偶尔时钟丢失,MCU跑飞,无线模块无法启动.

CL偏小:回路负载轻,负阻裕量充足,起振速度快,上电迅速建立振荡.但代价是频率牵引幅度变大,频率更容易受电容,寄生变化影响,同时激励功率上升.

大量项目故障现象:室温全功能正常,放入-40℃高低温箱,上电概率性不启动;常温老化几天之后,偶尔死机.很多工程师怀疑晶振品质不良,反复更换ECS物料,最终排查发现只是负载电容取值偏大,负阻裕量不足.小封装ECS晶振这类问题发生率远高于大封装型号,也是因为本身ESR基数更高.

这里补充一个调试原则:负阻裕量不是越大越好.裕量过剩意味着激励过强,会带来下文所说的老化加速问题;裕量刚好卡在临界值,则产品鲁棒性不足.ECS原厂设计指南建议,振荡负阻至少为晶振ESR的3~5倍以上,作为安全裕量.

3.3负载电容改变晶振激励功率,影响功耗,老化漂移与使用寿命

晶振晶片振动幅度由激励功率决定,而激励功率和负载电容强相关.CL偏小,回路激励电流更大,晶片振动幅值更高;CL偏大,激励偏弱,振动幅度更小.

激励水平带来两方面影响:第一,低功耗电池类产品,例如无源物联网标签,TWS耳机仓,便携传感器,整机休眠功耗指标严苛.RTC时钟长期持续运行,激励功率是静态功耗的组成部分.很多工程师为了压低功耗,刻意加大CL降低激励,但如果激励过低,振荡信号幅值不足,容易被电源噪声淹没,出现时振时停.功耗和起振可靠性需要折中.第二,激励过高会加速石英晶片老化.石英晶振长期在过大振动应力下,电极材料缓慢迁移,晶片应力缓慢释放,频率会随工作时间持续漂移,也就是老化特性变差.ECS高品质晶振出厂老化率指标很优秀,但前提是工作在推荐负载,推荐激励电平区间.长期过激励运行,短期看功能正常,长期老化漂移会超出规格,产品使用后期时钟精度持续恶化.

车载,工业,长寿命IoT设备,产品设计寿命要求10年以上,晶振长期稳定性是硬性指标,负载匹配就不能只看样机短期功能,必须兼顾老化特性.ECS车规级AEC-Q200晶振经过严苛老化筛选,但是依旧要求严格遵循标称CL设计,避免过激励.

3.4负载电容配套电容材质,直接影响振荡噪声,温漂与EMC性能

很多工程师只关注电容容值,忽略电容介质材质,这是非常隐蔽的设计缺陷.匹配晶振负载的C1,C2,电容温漂,电压系数,介质损耗,会随着温度变化改变实际容值,间接造成CL随温度漂移,带来全温区频偏波动,同时引入额外相位噪声,恶化EMC.

电容介质对比:

NPO(C0G)电容:温度系数接近0,容值随温度,偏置电压变化极小,介质损耗低,是晶振振荡电路首选.缺点是同体积容值上限低,价格略高.ECS原厂设计参考板,全部采用C0G电容做负载匹配.

X7R电容:大容量MLCC常用介质,常温容值稳定,高低温下容值变化可达±15%甚至更高,电压偏置下容值跌落明显.如果用X7R做CL匹配,低温时电容容值下降,等效CL变小,频率飘高;高温容值上升,CL变大,频率飘低.整机高低温测试ppm超差很多时候根源在这里.

Y5V,Z5U:高容低价格介质,容值随温度,电压变化幅度极大,严禁用于晶振负载电容.不少为了降成本的方案直接选用Y5V,样机常温OK,高低温直接出现时钟异常.

另外,振荡回路的相位噪声会向外辐射,成为EMI干扰源.C0G电容低介质损耗,振荡波形正弦度更好,谐波分量更少;高损耗介质电容会造成波形畸变,高次谐波抬升,在EMC辐射测试,传导测试中容易超标.射频板卡,医疗设备晶振,工控产品对EMC要求严格,负载电容材质选型是EMC设计的一环.

四,ECS晶振振荡电路PCB设计:寄生电容Cs的管控策略

前面已经说明,寄生电容Cs是CL计算里不可控变量,PCB布局是控制Cs最核心手段,尤其ECS1610,2012这类超小型晶振,寄生敏感度极高.ECS官方封装手册除了推荐焊盘尺寸,同时附带布局规范,很多工程师只下载封装库,忽略布局指引.

PCB布局设计要点逐条梳理:

XIN,XOUT到晶振焊盘走线必须尽可能短,直,走线长度优先控制在2mm以内,禁止走长引线,换层走线.换层会增加过孔寄生电容,一个信号过孔寄生电容可达0.3~0.8pF,多个过孔叠加会显著抬升Cs.

晶振,C1,C2三个器件集中紧贴MCU振荡引脚放置,形成紧凑振荡环路,不要分散摆放.环路面积越小,对外EMI辐射越小,同时降低外界信号线对振荡回路的耦合干扰.

振荡走线下方,相邻层避免铺大面积铜皮,铜皮和走线之间会形成平板电容,大幅增加寄生.振荡区域下方可以做挖空处理,参考ECS评估板布局.

高速信号线,时钟线,电源开关节点,射频走线远离晶振环路,至少保留3倍线宽以上安全间距.高速信号耦合进振荡回路,会造成振荡抖动,相位噪声恶化.

严格遵循ECS推荐焊盘尺寸,不要随意放大焊盘.很多工厂为了提升SMT焊接良率,加宽加长晶振焊盘,焊盘铜面积增大,寄生电容同步上涨,CL偏离设计值.1610,2012小封装晶振,焊盘改动带来的寄生变化非常明显.

振荡区域的地引脚单点就近接地,不要走长地线汇入主地平面远端,避免地弹噪声耦合进振荡环路.电源噪声,地噪声是晶振起振不稳,抖动的常见外部诱因.

阻焊开窗不要随意扩大,多余的铜箔,锡膏都可能引入额外寄生.

很多项目前期仿真计算CL完全正确,打板实测频偏不对,就是PCB寄生超出预估.建议做关键产品时,第一版样板预留电容焊盘,采用0402封装焊盘,可更换不同容值C0G电容调试,不要直接固定电容.

五,工程调试全流程:ECS晶振负载电容匹配调试步骤

负载电容匹配不是一次计算完成,必须经过:理论计算→样板实测→容值微调→全温区验证→批量固化,一套标准化流程,适合ECS所有无源并联晶振.第一步:确认ECS晶体振荡器规格书参数.提取标称CL,ESR,推荐负载范围,确认是并联晶振;同时查阅主控芯片datasheet,确认XIN/XOUT是否内置负载电容,内置电容档位.内置电容一定要计入CL公式,关闭不需要的内置电容档位,避免重复叠加.第二步:评估PCB寄生Cs,根据布局方案预估Cs,代入公式初步计算C1,C2.优先C1=C2对称取值,不对称取值也可以工作,但波形占空比会偏移,一般不推荐.第三步:PCB样板预留兼容焊盘,选用C0G/NPO材质电容,优先准备多档容值样品,例如15pF,18pF,20pF,22pF,24pF,27pF,30pF.第四步:常温测试,使用频率计或者示波器读取晶振输出频率,对比目标频率,计算ppm偏差.

实测频率偏高→当前总CL偏小,加大C1/C2容值;

实测频率偏低→当前总CL偏大,减小C1/C2容值.第五步:频率调试达标之后,开展起振测试.示波器抓取上电波形,测量起振时间;分别在最低工作电压,最高工作电压测试起振;高低温箱-40℃~+85℃(车载-40~125℃)全温区间循环测试,验证是否存在不起振,间歇停振.如果低温不起振,说明CL偏大,负阻裕量不足,降低电容值重新复测.第六步:老化与噪声测试.长时间通电老化,观测频率漂移情况;频谱仪观测相位噪声,谐波幅度,同步复测EMC指标.第七步:确认所有工况合格后,固化电容容值,材质,封装,更新BOM,同步固化PCB布局规范,后续版本不随意改动焊盘,走线.

调试中还有一个实用技巧:如果主控内置电容可调,可以优先使用内置电容微调频率,减少外部BOM物料变动,适合批量稳定生产.但是内置电容档位步进有限,高精度场景依旧需要外部C0G电容精细调节.

六,典型故障案例复盘,看懂负载电容带来的各类问题

案例1:ECS32.768kHzRTC晶振,CL=7pF,工程师直接外挂22pF一对电容

寄生Cs大约4pF,计算总CL=(22//22)+4=11+4=15pF,远大于标称7pF.实测时钟走慢,低温下大约10%样机上电RTC停振.解决方案:更换C1=C2=10pFC0G,CL=(10//10)+4=5+4=9pF,微调至8pF,最终匹配到7pF附近,全温区正常,走时精度达标.这个案例是RTC产品最常见错误,很多工程师拿22pF万能方案套所有RTC晶振.

案例2:ECS24MHz蓝牙晶振,CL=20pF,MCU自带内置6pF负载电容,工程师不知情继续外挂22pF电容

内置电容已经贡献负载,叠加外部电容之后总CL达到26pF,频偏负向超标,蓝牙远距离丢包严重.排查后关闭内置负载电容,保留外部22pF,再根据寄生微调至目标CL,通信性能恢复.

案例3:某工业板卡,ECS40MHz晶振,电容选用X7R材质,常温频率合格,高低温循环测试ppm波动超标

更换同等容值C0G电容之后,全温区频差稳定,故障消失.问题根源不是晶振本身,是电容温漂改变CL.客户最初怀疑ECS来料不良,送样复测原厂参数全部合格,属于外围器件选型失误.

案例4:ECS1610封装26MHz小尺寸晶振,焊盘私自加宽加大,寄生Cs达到9pF,设计按Cs=4pF计算电容

样板常温频偏持续偏高,反复更换电容很难调到目标值,修改PCB焊盘尺寸,减小寄生之后,匹配难度大幅降低.小封装晶振焊盘改动对Cs影响极其敏感.

这些案例都是帝国科技日常对接客户技术支持时高频遇到,很多故障表象指向晶振,本质是负载电容体系设计问题,并非美国伊西斯ECS晶振品质缺陷.

七,不同应用场景下ECS晶振负载电容选型设计策略

不同赛道产品,设计侧重点不一样,负载电容匹配的权衡方向不同:

RTC时钟产品(智能面板,电表,穿戴,温控):优先保证长期走时精度,CL匹配精度要求最高,优先C0G电容,严格控制寄生,选用ECS对应CL规格32.768kHz晶振,不要混用6pF和12.5pF型号.功耗次之,在满足精度前提下兼顾激励大小.

BLE,Sub-GHz无线模组:精度和起振可靠性并重,频偏直接影响射频性能,高低温起振是硬性指标.优先预留足够负阻裕量,CL不要取偏大值,ECS高频晶振选型时确认负载参数,样板必须做距离和高低温联调.

工业控制PLC,采集模块:工作温度范围宽,EMC环境恶劣,优先C0G电容,振荡环路紧凑布局,降低噪声耦合,兼顾长期老化稳定性.很多工业设备10年服役周期,晶振激励不能过高.

车载电子AEC-Q200:全温范围-40~125℃,电压波动大,安全等级高.ECS车规晶振本身参数严苛,负载电容必须严格遵循规格书,留足负阻裕量,全温区,电压窗口全覆盖测试,杜绝间歇性失效.

TWS耳机,便携IoT:功耗指标优先,平衡功耗,起振,精度,RTC部分低激励设计,射频时钟保证频偏,空间紧凑,大量使用1610,2012小封装ECS晶振,寄生管控难度高.

USB,高速数字接口:重点保证时钟稳定,避免波特率漂移,EMI谐波控制,C0G电容是标配.

八,ECS晶振代理配套服务说明

深圳市帝国科技有限公司作为ECS伊西斯晶振授权代理,深耕频率器件供应与技术服务,可供应ECS全系列产品:无源音叉晶振,高频基频/泛音晶振,车规晶振,有源振荡器OSC,TCXO温补晶振,覆盖1610,2012,2016,2520,3215,3225,5032,7050主流封装,频率覆盖32.768kHz~数百MHz,支持消费电子,工业,车载,医疗,光通信,IoT等行业选型.

很多客户在项目前期缺少晶振负载电容匹配经验,我们可以协助核对ECS规格参数,提供原厂设计手册,评估负载方案,提供样品测试,针对批量项目提供持续稳定供货.如果您的研发团队在ECS晶振振荡电路调试中遇到频偏,起振,高低温异常等问题,欢迎和我们技术团队沟通,协同定位问题.采购,样品申请,技术咨询,欢迎来电:0755-27881119.

负载电容,是无源并联晶振电路里一个看似简单,却串联起频率精度,起振可靠性,功耗,老化寿命,EMC性能的核心设计要素.ECS伊西斯晶振所有出厂参数标定,都建立在额定负载电容基础之上.很多硬件项目时钟相关疑难故障,不是晶振本身质量问题,而是对CL原理理解不足,计算公式忽略寄生,PCB布局失控,电容介质选错,主控内置负载电容没有纳入计算造成.

皮尔斯振荡电路设计,不能依赖网上流传的"22pF通用方案"这种过时经验.随着晶振封装持续小型化,电子产品温区与可靠性要求持续提升,负载电容精细化匹配已经成为硬件设计的必修课.从读懂ECS规格书CL指标,准确计算等效负载,严格管控PCB寄生,选用C0G电容,标准化样板调试,到全温区可靠性验证,每一步都直接决定时钟系统稳定性.

做好负载电容匹配,才能充分释放ECS晶振在频率稳定性,一致性,长期老化性能上的优势,让时钟系统在高低温,电压波动,复杂电磁环境下稳定工作,保障终端产品的通信可靠,时序准确,长期稳定运行.深圳市帝国科技有限公司持续为客户提供ECS晶振选型,样品,技术支持与批量交付服务,助力研发工程师缩短调试周期,规避时钟电路设计风险.

ECS伊西斯晶振负载电容对晶体振荡器设计的影响

ECS-147.4-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	14.7456MHz
ECS-160-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	16MHz
ECS-160-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	16MHz
ECS-184-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	18.432MHz
ECS-184-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	18.432MHz
ECS-196.6-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	19.6608MHz
ECS-196.6-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	19.6608MHz
ECS-200-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	20MHz
ECS-200-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	20MHz
ECS-200-CDX-0914	CSM-3X	MHz Crystal	20MHz
ECS-245.7-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	24.576MHz
ECS-245.7-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	24.576MHz
ECS-250-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	25MHz
ECS-250-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	25MHz
ECS-270-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	27MHz
ECS-270-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	27MHz
ECS-286.3-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	28.63636MHz
ECS-286.3-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	28.63636MHz
ECS-300-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	30MHz
ECS-300-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	30MHz
ECS-330-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	33MHz
ECS-330-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	33MHz
ECS-400-20-3X-EN-TR	CSM-3X	MHz Crystal	40MHz
ECS-400-20-3X-TR	CSM-3X	MHz Crystal	40MHz
ECS-100-20-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	10MHz
ECS-100-S-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	10MHz
ECS-110.5-20-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	11.0592MHz
ECS-110.5-S-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	11.0592MHz
ECS-120-18-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	12MHz
ECS-120-32-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	12MHz
ECS-120-S-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	12MHz
ECS-122.8-20-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	12.288MHz
ECS-143-20-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	14.31818MHz
ECS-143-S-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	14.31818MHz
ECS-147.4-20-28A-TR	CSM-4A	MHz Crystal	14.7456MHz
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